Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz MICRON (CT51264BA1339)

Производитель: MICRON
Код Товара: U0001288
Наличие: Нет в наличии

1030
  • 1030 грн


Краткие характеристики
Тип памяти DDR 3
Количество модулей в наборе 1
Объем памяти 4 GB
Производитель MICRON
Страна производства Гонконг
Частота памяти 1333 MHz
Тайминги CL9
Охлаждение нет
Все характеристики

ДОСТАВКА
Новая почта
Стоимость: 35грн.
Бесплатно от 2000грн
Самовывоз
Бесплатно для г.Владимир-Волынский и г.Нововолынск
ОПЛАТА
VISA / MasterCard
Приват24

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.



Преимущества по сравнению с DDR2:

- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);

- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);

- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.



Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.



DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.

Характеристики

Тип памяти DDR 3
Количество модулей в наборе 1
Объем памяти 4 GB
Производитель MICRON
Страна производства Гонконг
Частота памяти 1333 MHz
Тайминги CL9
Охлаждение нет
Напряжение 1.5V
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.